TCL科技请求薄膜制备办法专利减小或消除膜层内残留应力

更新时间：2024-04-10 04:04:58  作者: 开云体育入口

  金融界2024年3月22日音讯，据国家知识产权局公告，TCL科技集团股份有限公司请求一项名为“薄膜的制备办法、发光器材、发光器材的制备办法与电子设备“，揭露号CN117750860A，请求日期为2022年9月。

  专利摘要显现，本请求揭露一种薄膜的制备办法、发光器材、发光器材的制备办法与电子设备，所述制备办法有步骤：供给膜层，膜层包括第二金属和榜首金属氧化物；以及对膜层进行光照处理，取得薄膜，其间，第二金属选自金、银或铂族金属中的至少一种，榜首金属氧化物的金属元素包括榜首金属，榜首金属与第二金属不相同，光照处理的光源为近红外光，选用近红外波段的光照耀处理包括第二金属和榜首金属氧化物的膜层，以使第二金属可以吸收近红外光而发生光热效应，构成共振以将光能转化为热能，然后促进膜层受热以开释残留应力，从而到达减小或消除膜层内残留应力的意图。